محققانی در فنلاند برای اولین بار موفق به ساخت حافظه‏های مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانولوله‏ای شده‏اند؛ این حافظه‏ها دارای سرعت عملیاتی بالای 100 نانوثانیه (105 برابر سرعت بهترین افزاره‏های نانولوله‏ای قبلی) هستند، که میزان قابل رقابت با حافظه‏های فلش مبتنی بر سیلیکون تجاری با زمان‏های نوشتن و پاک کردن بیش از 100 میکرو ثانیه است.
پایوی تورما، یکی از این محققان، گفت: «نتایج ما بسیار حیرت آور است، زیرا این روش برای ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی بهینه نشده است یا همانند روش ساخت حافظه‏ی فلش تجاری توسعه نیافته است. دیگر یافته‏ی جالب در این کار بادوام بودن این حافظه‏های نانولوله‏ای است که می‏توانند برای بیش از 104 چرخه عمل کنند. این طول عمر اغلب برای حافظه‏های فلش است.

این محققان در ساخت حافظه‏ی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله‏‏ی کربنی تک‏جداره (CNT- FET) خود، ابتدا با استفاده از ترسیم لایه‏ی اتمی یک لایه‏ی HfO2 را روی نوک ویفر سیلیکونی آلاییده‏ای رشد دادند که به عنوان یک گیت پشتیبانی نیز عمل می‏کرد، سپس این محققان نانولوله‏ها را از یک سوسپانسیون روی این لایه پخش کردند و آنها را با کمک یک میکروسکوپ نیروی اتمی با دقت در یک ماتریس نشانگر هم‏جهت از پیش تعریف شده، قرار دادند. در مرحله‏ی بعدی نانولوله‏ها با استفاده از لیتوگرافی پرتوی الکترونی به الکترودهای پلاتین متصل و نهایتا لایه‏ی دیگری از  روی نوک این افزاره ترسیب شد که به عنوان یک لایه غیر فعال‏ساز برای کاهش اثرات سطحی عمل می‏کرد.
تورما گفت: «سرعت عملیاتی بسیار بالاست که احتمالاً ناشی از خواص ترکیبی نانولوله‏های کربنی ودی الکترنیک   است. خواص الکتریکی نانولوله‏های کربنی برای عملیات بسیار سریع، خیلی مناسب است. نانولوله‏ها نسبت به محیط الکتریکی پیرامون خود بسیار حساس هستند. دی‏الکتریک گیت  ، دارای نقایص ساختاری است که می‏توانند به‏طور موثری با حامل‏های بار در نانولوله‏های کربنی شارژ یا تخلیه شوند.
اگر چه این حافظه‏ها در درایوهای سخت حافظه‏ی فلش نیز کاربرد دارند؛ با توجه به اینکه نیاز چندانی به ولتاژهای عملیاتی ندارند، همچنین نانومقیاس بودن اجزایشان (که این امکان را می‏دهد تا در مساحت کوچکی بسیار فشرده شوند) برای استفاده در افزاره‏های قابل حمل از قبیل درایوهای حافظه‏ی USB, PDA، لپتاپ‏ها و گوشی‏های تلفن همراه مناسب‏ترند، ساختار کنونی هنوز برای تولید انبوه مناسب نیست؛ زیرا در آن از گیت‏های سراسری استفاده می‏شود، در حالی که این مشکل با استفاده از یک ساختار گیت موضعی قابل حل است. این راه‏حل همچنین می‏تواند منجر به سازگاری فرایند ساخت این افزاره با فرآیند ساخت الکترونیک سیلیکونی مرسوم شود. چالش دیگر موجود در این زمینه‏ خواص الکتریکی نانوله‏های کربنی و مکانشان روی تراشه است که باید بهتر کنترل شوند.
تورما گفت: «به دلیل اینکه سرعت این افزاره‏ها ممکن است از طریق دستگاه اندازه‏گیری‏مان محدود شود، ما علاقه‏مندیم تا محدودیت‏ ذاتی سرعت این حافظه‏های نانولوله‏ای را بررسی کنیم.»
نتایج این تحقیق در مجله‏ی Nano Letters منتشر شده است.

مردم انتخاباتی میآفرینند که دشمن را خشمگین کند
تصاویری از احمدی نژاد
فرزندان احمدینژاد چای ریاستجمهوری را نمیخورند
مردم انتخاباتی میآفرینند که دشمن را خشمگین کند
میر حسین امیدوار می باشد که ...
آلبوم جدید و فوق العاده زیبای بنیامین بهادری با نام 88
[عناوین آرشیوشده]